Основные параметры полевого транзистора IRFB9N30A

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 96W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 300V
Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 10V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 9.3A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.45 Ом
Производитель: IRF
Тип корпуса: TO-220AB
Найти datasheet