Основные параметры полевого транзистора IRFBA35N60C

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 250W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 10V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 35A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.08 Ом
Производитель: IRF
Тип корпуса: SUPER220
Найти datasheet