Справка

Основные параметры полевого транзистора IRFD110

• Структура (технология): MOSFET
  
• Тип канала: N-Channel
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 1.3W
  
• Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
  
• Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 10VV
  
• Предельный постоянный ток стока (Id max): 1.0A
  
• Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  
• Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.54 Ом
  
• Производитель: IRF
  
• Тип корпуса: HEXDIP
• Найти datasheet