Основные параметры полевого транзистора IRFD9110

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: P-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 1.3W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 10V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 0.7A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 1.2 Ом
Производитель: IRF
Тип корпуса: HEXDIP
Найти datasheet