|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFF320Основные параметры полевого транзистора IRFF320 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 20W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 400V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 2A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 40/60nS
- Входная емкость (Сiss): 350pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 2.07 Ом
- Производитель: SEMELAB
- Тип корпуса: TO39
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | Корпус2N6791 |
MOSFET | N-Channel | 20W | 350V | | | 2A | 35/35nS | 600pF | 1.8 Ом | TO-205 | 2N6791-SM |
MOSFET | N-Channel | 20W | 350V | | | 2A | - | - | 1.8 Ом | TO220SM | 2N6791LCC4 |
MOSFET | N-Channel | 20W | 350V | | | 2A | - | - | 1.8 Ом | LCC4 | 2N6792 |
MOSFET | N-Channel | 20W | 400V | | | 2A | 35/35nS | 600pF | 1.8 Ом | TO-205AF | 2N6792JANT |
MOSFET | N-Channel | 20W | 400V | | | 2A | 35/35nS | 600pF | 1.8 Ом | TO-205AF | 2N6792JANTX |
MOSFET | N-Channel | 20W | 400V | | | 2A | 35/35nS | 600pF | 1.8 Ом | TO-205AF | 2N6792JANTXV |
MOSFET | N-Channel | 20W | 400V | | | 2A | 35/35nS | 600pF | 1.8 Ом | TO-205AF | 2N6792SM |
MOSFET | N-Channel | 20W | 400V | | | 2A | - | - | 1.8 Ом | TO220SM | |
|
|
|