Справка

Основные параметры полевого транзистора IRFIB5N65A

• Структура (технология): MOSFET
  
• Тип канала: N-Channel
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 60W
  
• Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 650V
  
• Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 650V
  
• Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±30V
  
• Предельный постоянный ток стока (Id max): 5.1A
  
• Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  
• Время включения/выключения (Fr): 14/34nS
  
• Входная емкость (Сiss): 1417pF
  
• Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.93 Ом
  
• Производитель: IRF
  
• Тип корпуса: ISO220
• Найти datasheet