Справка

Основные параметры полевого транзистора IRFP251

• Структура (технология): MOSFET
  
• Тип канала: N-Channel
  
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 150W
  
• Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 150V
  
• Предельный постоянный ток стока (Id max): 30A
  
• Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  
• Производитель: SAMSUNG
  
• Тип корпуса: TO-3P
• Найти datasheet