Основные параметры полевого транзистора IRFP254

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 190W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 250V
Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 10V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 23A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.14 Ом
Производитель: IRF
Тип корпуса: TO-3P
Найти datasheet