vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFP343
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRFP343

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 125W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 350V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 8A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Производитель: SAMSUNG
    • Тип корпуса: TO-3P
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    BUZ63 MOSFETN-Channel125W400V 7.5A--1.0 ОмTO3
    IRF742 MOSFETN-Channel125W400V 8.3A--0.8 ОмTO220
    IRF743 MOSFETN-Channel125W350V 8.3A--0.8 ОмTO220
    IRFP342 MOSFETN-Channel125W400V 8A TO-3P
    SML4065CN MOSFETN-Channel125W400V 9A18/50nS950pF0.65 ОмTO254
    SML4065GN MOSFETN-Channel100W400V 8.5A18/50nS950pF0.65 ОмTO257
    SML4080AN MOSFETN-Channel150W400V 9A20/49nS950pF0.8 ОмTO3
    SML4080CN MOSFETN-Channel125W400V 8A18/50nS950pF0.8 ОмTO254
    SML4080GN MOSFETN-Channel100W400V 7.5A18/50nS950pF0.8 ОмTO3
    STP9N30 MOSFETN-Channel100W300V 9A 0.550 ОмTO-220
    Яндекс.Метрика