vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFP9132
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRFP9132

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: P-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 75W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 10A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Производитель: SAMSUNG
    • Тип корпуса: TO-3P
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    IRF532 MOSFETN-Channel79W100V 12A--0.23 ОмTO220
    IRF533 MOSFETN-Channel79W80V 12A--0.23 ОмTO220
    IRF9130 MOSFETP-Channel75W100V 11A60/140nS860pF0.35 ОмTO3
    IRF9532 MOSFETP-Channel75W100V 10A200/280nS TO-220
    IRFP132 MOSFETN-Channel75W100V 12A TO-3P
    IRFP133 MOSFETN-Channel75W80V 12A TO-3P
    IRFP9130 MOSFETP-Channel75W100V 12A TO-3P
    IRFS9142 MOSFETP-Channel65W100V 10.4A TO-3P
    SDF9130JAA MOSFETP-Channel75W100V 12A 0.3 ОмN/A
    SDF9130JAB MOSFETP-Channel75W100V 12A 0.3 ОмN/A
    SFP9530 MOSFETP-Channel66W100V 10.5A38nS800pF0.3 ОмTO-220
    SFW9530 MOSFETP-Channel66W100V 10.5A38nS800pF0.3 ОмTO-263
    Яндекс.Метрика