Основные параметры полевого транзистора IRFPC50A

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 180W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 600V
Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±30V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 11A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Время включения/выключения (Fr): 15/33nS
Входная емкость (Сiss): 2100pF
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.58 Ом
Производитель: IRF
Тип корпуса: TO247
Найти datasheet