vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFPC50LC
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRFPC50LC

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 190W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
    • Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 10V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 13A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.6 Ом
    • Производитель: IRF
    • Тип корпуса: TO-3P
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    IRFB11N50A MOSFETN-Channel170W500V 10V11A 0.52 ОмTO-220AB
    IRFBL10N60A MOSFETN-Channel180W600V 10V11A 0.61 ОмSUPERD2Pak
    IRFBL12N50A MOSFETN-Channel180W500V 10V13A 0.45 ОмSUPERD2Pak
    IRFP448 MOSFETN-Channel180W500V 10V11A 0.6 ОмTO-3P
    IRFPC50 MOSFETN-Channel180W600V 10V11A 0.6 ОмTO-3P
    IRFS11N50A MOSFETN-Channel170W500V 10V11A 0.52 ОмD2-PAK
    IRFSL11N50A MOSFETN-Channel190W500V 10V11A 0.55 ОмTO-262
    Яндекс.Метрика