Справка

Основные параметры полевого транзистора IRFR120N

• Структура (технология): MOSFET
  
• Тип канала: N-Channel
  
• Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
  
• Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 39V
  
• Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  
• Производитель: IRF
  
• Тип корпуса: TO252AA
• Найти datasheet