|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFR9121Основные параметры полевого транзистора IRFR9121 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: P-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 42W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 80V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 5.9A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Производитель: SAMSUNG
- Тип корпуса: D-PAK
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусIRF511 |
MOSFET | N-Channel | 43W | 80V | | - | 5.6A | 47/42nS | - | | TO-220 | IRF513 |
MOSFET | N-Channel | 43W | 80V | | - | 4.9A | 47/42nS | - | | TO-220 | IRFU9121 |
MOSFET | P-Channel | 42W | 80V | | | 5.9A | | | | I-PAK | |
|
|
|