|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFR9212Основные параметры полевого транзистора IRFR9212 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: P-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 25W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 200V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 1.6A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Производитель: SAMSUNG
- Тип корпуса: D-PAK
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусIRF9612 |
MOSFET | P-Channel | 20W | 200V | | | 1.5A | 40/30nS | | | TO-220 | IRFU9212 |
MOSFET | P-Channel | 25W | 200V | | | 1.6A | | | | I-PAK | SFI9610 |
MOSFET | P-Channel | 20W | 200V | | | 1.8A | 11nS | 220pF | 3 Ом | I2PAK | SFP9610 |
MOSFET | P-Channel | 20W | 200V | | | 1.8A | 11nS | 220pF | 3 Ом | TO-220 | SFW9610 |
MOSFET | P-Channel | 20W | 200V | | | 1.8A | 11nS | 220pF | 3 Ом | TO-263 | |
|
|
|