vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы
  • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFRC20
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRFRC20

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 42W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
    • Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): 10V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 2A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 4.4 Ом
    • Производитель: IRF
    • Тип корпуса: TO252AA
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    IRF820A MOSFETN-Channel50W500V 10V2.5A 3.0 ОмTO-220AB
    IRF820AL MOSFETN-Channel50W500V 10V2.5A 3.0 ОмTO-262
    IRF820AS MOSFETN-Channel50W500V 10V2.5A 3.0 ОмD2-PAK
    IRF820S MOSFETN-Channel50W500V 10V2.5A 3 ОмD2-PAK
    IRFBC20 MOSFETN-Channel50W600V 10V2.2A 4.4 ОмTO-220AB
    IRFBC20L MOSFETN-Channel50W600V 10V2.2A 4.4 ОмTO-262
    IRFBC20S MOSFETN-Channel50W600V 10V2.2A 4.4 ОмD2-PAK
    IRFIBC30G MOSFETN-Channel35W600V 10V2.5A 2.2 ОмTO-220
    IRFR420 MOSFETN-Channel42W500V 10V2.4A 3 ОмTO252AA
    IRFU420 MOSFETN-Channel42W500V 10V2.4A 3 ОмTO251AA
    IRFUC20 MOSFETN-Channel42W600V 10V2.0A 4.4 ОмTO251AA
    Яндекс.Метрика