|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFS153Основные параметры полевого транзистора IRFS153 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 70W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 80V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 23.5A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Производитель: SAMSUNG
- Тип корпуса: TO-3P
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусIRFS141 |
MOSFET | N-Channel | 65W | 80V | | | 19.4A | | | | TO-3P | IRFS151 |
MOSFET | N-Channel | 70W | 80V | | | 27.5A | | | | TO-3P | NDB508A |
MOSFET | N-Channel | 75W | 80V | | | 19A | | | 0.08 Ом | TO-263 | NDP508A |
MOSFET | N-Channel | 75W | 80V | | | 19A | | | 0.08 Ом | TO-220 | |
|
|
|