vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFS251
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRFS251

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 70W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 150V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 20.7A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Производитель: SAMSUNG
    • Тип корпуса: TO-3P
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    2SK3156 MOSFETN-Channel75W150V ±20V20A 1750pF70 ОмTO-220AB
    IRFS253 MOSFETN-Channel70W150V 17.3A TO-3P
    Яндекс.Метрика