vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFS341
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRFS341

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 65W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 350V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 6.9A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Производитель: SAMSUNG
    • Тип корпуса: TO-3P
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    BUZ60 MOSFETN-Channel75W400V 5.5A--1.0 ОмTO220M
    IRF330 MOSFETN-Channel75W400V 5.5A30/80nS620pF1.2 ОмTO3
    IRF731 MOSFETN-Channel75W350V 5.5A--1 ОмTO220
    IRFI730A MOSFETN-Channel73W400V 5.5A42nS675pF1 ОмI2PAK
    IRFN340 MOSFETN-Channel75W400V 7.5A25/79nS1400pF0.7 ОмTO220SM
    IRFP330 MOSFETN-Channel75W400V 5.5A TO-3P
    IRFP331 MOSFETN-Channel75W350V 5.5A TO-3P
    IRFP332 MOSFETN-Channel75W400V 5A TO-3P
    IRFP333 MOSFETN-Channel75W350V 5A TO-3P
    IRFS340 MOSFETN-Channel65W400V 6.9A TO-3P
    IRFS342 MOSFETN-Channel65W400V 5.50 TO-3P
    IRFS343 MOSFETN-Channel65W350V 5.5A TO-3P
    IRFW730A MOSFETN-Channel73W400V 5.5A42nS675pF1 ОмTO-263
    IRFY340 MOSFETN-Channel60W400V 6.9A25/79nS1400pF0.63 ОмTO220M
    IRFY340C MOSFETN-Channel60W400V 6.9A25/79nS1400pF0.63 ОмTO220MC
    SDF320JDA MOSFETN-Channel75W400V 5.5A 1 ОмN/A
    STP5N30 MOSFETN-Channel75W300V 5A 1.400 ОмTO-220
    STP5N30L MOSFETN-Channel75W300V 5A 1.400 ОмTO-220
    Яндекс.Метрика