vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFS532
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRFS532

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 35W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 12A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Производитель: SAMSUNG
    • Тип корпуса: TO-220
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    2SK1187 MOSFETN-Channel35W100V 12A 650pF0.16 ОмFM20
    2SK2778 MOSFETN-Channel30W100V 12A 740pF0.175 ОмFM20
    BUK545-100A MOSFETN-Channel30W100V 13A 0.085 ОмSOT186
    BUK545-100B MOSFETN-Channel30W100V 13A 0.11 ОмSOT186
    IRFR130A MOSFETN-Channel41W100V 13A36nS610pF0.11 ОмDPAK
    IRFS530 MOSFETN-Channel35W100V 14A TO-220
    IRFS530A MOSFETN-Channel32W100V 10.7A36nS610pF0.11 ОмTO-220F
    IRFS531 MOSFETN-Channel35W80V 14A TO-220
    IRFS533 MOSFETN-Channel35W80V 12A TO-220
    IRFS9530 MOSFETP-Channel35W100V 12A TO-220
    IRFS9532 MOSFETP-Channel35W100V 10A TO-220
    IRFU130A MOSFETN-Channel41W100V 13A36nS610pF0.11 ОмIPAK
    IRLS530A MOSFETN-Channel36W100V 10.7A24nS580pF0.12 ОмTO-220F
    STP18N10FI MOSFETN-Channel40W100V 11A 0.140 ОмISOWATT220
    STP20N10FI MOSFETN-Channel40W100V 12A 0.120 ОмISOWATT220
    STP20N10LFI MOSFETN-Channel40W100V 12A 0.120 ОмISOWATT220
    Яндекс.Метрика