vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFS542
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRFS542

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 40W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 25A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Производитель: SAMSUNG
    • Тип корпуса: TO-220
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    2SK2779 MOSFETN-Channel35W100V 20A 1630pF0.08 ОмFM20
    IRFS540 MOSFETN-Channel40W100V 28A TO-220
    IRFS541 MOSFETN-Channel40W80V 28A TO-220
    IRFS543 MOSFETN-Channel40W80V 25A TO-220
    IRFS550A MOSFETN-Channel46W100V 21A97nS1750pF0.04 ОмTO-220F
    STP40N10FI MOSFETN-Channel45W100V 22A 0.040 ОмISOWATT220
    Яндекс.Метрика