vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFS622
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRFS622

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 30W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 200V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 4A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Производитель: SAMSUNG
    • Тип корпуса: TO-220
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    IRFF9230 MOSFETP-Channel25W200V 4A50/100nS700pF1.68 ОмTO39
    IRFS620A MOSFETN-Channel32W200V 4.1A17nS275pF0.8 ОмTO-220F
    IRLR220A MOSFETN-Channel33W200V 4.6A15nS330pF0.8 ОмDPAK
    IRLS620A MOSFETN-Channel26W200V 4.1A15nS330pF0.8 ОмTO-220F
    IRLU220A MOSFETN-Channel33W200V 4.6A15nS330pF0.8 ОмIPAK
    STP7N20FI MOSFETN-Channel30W200V 4.5A 0.650 ОмISOWATT220
    Яндекс.Метрика