vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFS650A
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRFS650A

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 50W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 200V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 15.8A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Время включения/выключения (Fr): 123nS
    • Входная емкость (Сiss): 2300pF
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.085 Ом
    • Производитель: FAIRCHILD
    • Тип корпуса: TO-220F
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    IRFS640 MOSFETN-Channel40W200V 18A TO-220
    IRFS642 MOSFETN-Channel40W200V 16A TO-220
    IRFY240 MOSFETN-Channel60W200V 12A37.6/152nS1300pF0.22 ОмTO220M
    IRFY240C MOSFETN-Channel60W200V 12A37.6/152nS1300pF0.22 ОмTO220MC
    Яндекс.Метрика