vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFS732
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRFS732

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 35W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 400V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 5A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Производитель: SAMSUNG
    • Тип корпуса: TO-220
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    2SK2804 MOSFETN-Channel35W450V 5A 580pF1.5 ОмFM20
    IRFS730 MOSFETN-Channel35W400V 5.5A TO-220
    IRFS731 MOSFETN-Channel35W350V 5.5A TO-220
    IRFS733 MOSFETN-Channel35W350V 5A TO-220
    IRFS831 MOSFETN-Channel35W450V 4.5A TO-220
    IRFS833 MOSFETN-Channel35W450V 4A TO-220
    STP7NA40FI MOSFETN-Channel40W400V 4.1A 1.000 ОмISOWATT220
    Яндекс.Метрика