vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFS830
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRFS830

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 35W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 500V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 4.5A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Производитель: SAMSUNG
    • Тип корпуса: TO-220
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    2SK1178 MOSFETN-Channel35W500V 4A 610pF1.5 ОмFM20
    2SK2707 MOSFETN-Channel35W600V 4.5A 560pF1.85 ОмFM20
    IRFS831 MOSFETN-Channel35W450V 4.5A TO-220
    IRFS832 MOSFETN-Channel35W500V 4A TO-220
    IRFS833 MOSFETN-Channel35W450V 4A TO-220
    PHX8N50E MOSFETN-Channel37W500V 4.8A 0.85 ОмSOT186A
    PHX8ND50E MOSFETN-Channel37W500V 4.8A 0.85 ОмSOT186A
    SSS4N55 MOSFETN-Channel35W550V 4A TO-220
    SSS4N60 MOSFETN-Channel35W600V 4A TO-220
    STP7NA40FI MOSFETN-Channel40W400V 4.1A 1.000 ОмISOWATT220
    STP8N50XI MOSFETN-Channel35W500V 4.5A 0.850 ОмISOWATT221
    STP8NA50FI MOSFETN-Channel40W500V 4.5A 0.850 ОмISOWATT220
    Яндекс.Метрика