vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFS840
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRFS840

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 40W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 500V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 8A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Производитель: SAMSUNG
    • Тип корпуса: TO-220
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    2SK2701 MOSFETN-Channel35W450V 7A 720pF1.1 ОмFM20
    2SK2708 MOSFETN-Channel40W600V 7A 950pF1.1 ОмFM20
    2SK3234 MOSFETN-Channel35W500V ±30V8A 0.75 ОмTO- 220CFM
    IRFS742 MOSFETN-Channel40W400V 8A TO-220
    IRFS841 MOSFETN-Channel40W450V 8A TO-220
    IRFS842 MOSFETN-Channel40W500V 7A TO-220
    IRFS843 MOSFETN-Channel40W450V 7A TO-220
    Яндекс.Метрика