|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFS840AОсновные параметры полевого транзистора IRFS840A - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 44W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 500V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 4.6A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 74nS
- Входная емкость (Сiss): 1190pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.85 Ом
- Производитель: FAIRCHILD
- Тип корпуса: TO-220F
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусPHX8N50E |
MOSFET | N-Channel | 37W | 500V | | | 4.8A | | | 0.85 Ом | SOT186A | PHX8ND50E |
MOSFET | N-Channel | 37W | 500V | | | 4.8A | | | 0.85 Ом | SOT186A | SSS7N60A |
MOSFET | N-Channel | 48W | 600V | | | 4A | 65nS | 1150pF | 1.2 Ом | TO-220F | STP6NA50FI |
MOSFET | N-Channel | 45W | 500V | | | 4A | | | 1.100 Ом | ISOWATT220 | STP7NA40FI |
MOSFET | N-Channel | 40W | 400V | | | 4.1A | | | 1.000 Ом | ISOWATT220 | STP7NA60FI |
MOSFET | N-Channel | 45W | 600V | | | 4.3A | | | 1.000 Ом | ISOWATT220 | STP8NA50FI |
MOSFET | N-Channel | 40W | 500V | | | 4.5A | | | 0.850 Ом | ISOWATT220 | |
|
|
|