|
|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFS9140Основные параметры полевого транзистора IRFS9140 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: P-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 65W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 13.2A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Производитель: SAMSUNG
- Тип корпуса: TO-3P
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
| Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | Корпус| BUZ20 |
MOSFET | N-Channel | 75W | 100V | | | 14A | - | - | 0.2 Ом | TO220M | | BUZ23 |
MOSFET | N-Channel | 78W | 100V | | | 14A | - | - | 0.2 Ом | TO3 | | IRF530A |
MOSFET | N-Channel | 55W | 100V | | | 14A | 36nS | 610pF | 0.11 Ом | TO-220 | | IRF9130 |
MOSFET | P-Channel | 75W | 100V | | | 11A | 60/140nS | 860pF | 0.35 Ом | TO3 | | IRFI530A |
MOSFET | N-Channel | 55W | 100V | | | 14A | 36nS | 610pF | 0.11 Ом | I2PAK | | IRFN9140 |
MOSFET | P-Channel | 75W | 100V | | | 14A | 35/85nS | 1400pF | 0.22 Ом | TO220SM | | IRFP130 |
MOSFET | N-Channel | 75W | 100V | | | 14A | | | | TO-3P | | IRFP131 |
MOSFET | N-Channel | 75W | 80V | | | 14A | | | | TO-3P | | IRFP132 |
MOSFET | N-Channel | 75W | 100V | | | 12A | | | | TO-3P | | IRFP133 |
MOSFET | N-Channel | 75W | 80V | | | 12A | | | | TO-3P | | IRFP9130 |
MOSFET | P-Channel | 75W | 100V | | | 12A | | | | TO-3P | | IRFW530A |
MOSFET | N-Channel | 55W | 100V | | | 14A | 36nS | 610pF | 0.11 Ом | TO-263 | | IRFY9140 |
MOSFET | P-Channel | 60W | 100V | | | 13A | 35/85nS | 1400pF | 0.24 Ом | TO220M | | IRFY9140C |
MOSFET | P-Channel | 60W | 100V | | | 13A | 35/85nS | 1400pF | 0.24 Ом | TO220M | | IRL530 |
MOSFET | N-Channel | 75W | 100V | | | 13A | | | | TO-220 | | IRL530A |
MOSFET | N-Channel | 62W | 100V | | | 14A | 24nS | 580pF | 0.12 Ом | TO-220 | | IRL531 |
MOSFET | N-Channel | 75W | 80V | | | 13A | | | | TO-220 | | IRLI530A |
MOSFET | N-Channel | 62W | 100V | | | 14A | 24nS | 580pF | 0.12 Ом | I2PAK | | IRLW530A |
MOSFET | N-Channel | 62W | 100V | | | 14A | 24nS | 580pF | 0.12 Ом | TO-263 | | NDB510A |
MOSFET | N-Channel | 75W | 100V | | | 15A | | | 0.12 Ом | TO-263 | | NDP510A |
MOSFET | N-Channel | 75W | 100V | | | 15A | | | 0.12 Ом | TO-220 | | SDF9130JAA |
MOSFET | P-Channel | 75W | 100V | | | 12A | | | 0.3 Ом | N/A | | SDF9130JAB |
MOSFET | P-Channel | 75W | 100V | | | 12A | | | 0.3 Ом | N/A | | STK14N10 |
MOSFET | N-Channel | 65W | 100V | | | 14A | | | 0.140 Ом | SOT-82 | |
|
|
|