vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFS9520
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRFS9520

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: P-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 30W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 6A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Производитель: SAMSUNG
    • Тип корпуса: TO-220
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    BUK473-100A MOSFETN-Channel25W100V 5A 0.16 ОмSOT186A
    BUK473-100B MOSFETN-Channel25W100V 5A 0.2 ОмSOT186A
    BUK543-100A MOSFETN-Channel25W100V 5A 0.18 ОмSOT186
    IRF510A MOSFETN-Channel33W100V 5.6A12nS190pF0.4 ОмTO-220
    IRFF9130 MOSFETP-Channel25W100V 6.5A60/140nS800pF0.345 ОмTO39
    IRFI510A MOSFETN-Channel33W100V 5.6A12nS190pF0.4 ОмI2PAK
    IRFS520A MOSFETN-Channel28W100V 7.2A22nS370pF0.2 ОмTO-220F
    IRFS9522 MOSFETP-Channel30W100V 5A TO-220
    IRFW510A MOSFETN-Channel33W100V 5.6A12nS190pF0.4 ОмTO-263
    IRFY120 MOSFETN-Channel30W100V 7.3A15/40nS350pF0.36 ОмTO220M
    IRFY120C MOSFETN-Channel30W100V 7.3A15/40nS350pF0.36 ОмTO220MC
    IRFY9120 MOSFETP-Channel30W100V 5.3A60/50nS380pF0.69 ОмTO220M
    IRFY9120C MOSFETP-Channel30W100V 5.3A60/50nS380pF0.69 ОмTO220MC
    IRLS520A MOSFETN-Channel30W100V 7.2A15nS340pF0.22 ОмTO-220F
    Яндекс.Метрика