|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFS9631Основные параметры полевого транзистора IRFS9631 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: P-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 35W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 150V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 6.5A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Производитель: SAMSUNG
- Тип корпуса: TO-220
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусIRF621 |
MOSFET | N-Channel | 40W | 150V | | | 5A | - | - | 0.8 Ом | TO220 | IRFS231 |
MOSFET | N-Channel | 42W | 150V | | | 6.2A | | | | TO-3P | IRFS233 |
MOSFET | N-Channel | 42W | 150V | | | 5.5A | | | | TO-3P | IRFS9633 |
MOSFET | P-Channel | 35W | 150V | | | 5.5A | | | | TO-220 | |
|
|
|