|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFS9640Основные параметры полевого транзистора IRFS9640 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: P-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 40W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 200V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 11A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Производитель: SAMSUNG
- Тип корпуса: TO-220
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусIRFS630 |
MOSFET | N-Channel | 35W | 200V | | | 9A | | | | TO-220 | IRFS640A |
MOSFET | N-Channel | 43W | 200V | | | 9.8A | 58nS | 1160pF | 0.18 Ом | TO-220F | IRFS9642 |
MOSFET | P-Channel | 40W | 200V | | | 9A | | | | TO-220 | IRLS640A |
MOSFET | N-Channel | 40W | 200V | | | 9.8A | 56nS | 1310pF | 0.18 Ом | TO-220F | |
|
|
|