vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора 2SJ165
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора 2SJ165

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: P-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 25W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 50V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 0.1A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 175°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 22 Ом
    • Производитель: NEC
    • Тип корпуса: SST
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    2SJ133 FETP-Channel20W60V ±2A 0.7 ОмMP-3
    2SJ137 FETP-Channel30W60V ±10A 0.45 ОмMP-45
    2SJ326 FETP-Channel20W60V ±2.0A 0.5 ОмMP-3
    2SJ327 FETP-Channel20W60V ±4.0A 0.22 ОмMP-3
    2SK1059 MOSFETN-Channel20W60V ±5A 0.15 ОмMP-3
    2SK1282 MOSFETN-Channel20W60V ±3A 0.2 ОмMP-3
    2SK1283 MOSFETN-Channel20W60V ±3A 0.2 ОмMP-5
    2SK1748 MOSFETN-Channel20W60V ±8.0A 0.11 ОмMP-3
    2SK2412 MOSFETN-Channel30W60V ±20A 0.067 ОмMP-45F
    2SK2414 MOSFETN-Channel20W60V ±10A 0.07 ОмMP-3
    2SK2415 MOSFETN-Channel20W60V ±8.0A 0.1 ОмMP-3
    2SK2723 MOSFETN-Channel25W60V ±25A 0.045 ОмMP-45F
    2SK2724 MOSFETN-Channel30W60V ±35A 0.033 ОмMP-45F
    2SK739 MOSFETN-Channel20W60V ±2A 0.25 ОмMP-3
    Яндекс.Метрика