|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRFU411Основные параметры полевого транзистора IRFU411 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 25W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 450V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 0.5A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Производитель: SAMSUNG
- Тип корпуса: I-PAK
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | Корпус2SK1988 |
MOSFET | N-Channel | 30W | 450V | | | ±2.5A | | | 2.2 Ом | MP-45F | 2SK1989 |
MOSFET | N-Channel | 30W | 500V | | | ±2.5A | | | 2.4 Ом | MP-45F | 2SK1990 |
MOSFET | N-Channel | 30W | 450V | | | ±4.5A | | | 1.1 Ом | MP-45F | 2SK1991 |
MOSFET | N-Channel | 30W | 500V | | | ±4.5A | | | 1.2 Ом | MP-45F | IRFR411 |
MOSFET | N-Channel | 25W | 450V | | | 0.5A | | | | D-PAK | |
|
|
|