|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора 2SJ180Основные параметры полевого транзистора 2SJ180 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: P-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 1W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 30V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 1.0A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 1.5 Ом
- Производитель: NEC
- Тип корпуса: SP-8
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусHAT2051T |
MOSFET | N-Channel | 1W | 30V | | ±10V | 1A | | - | 0.2 Ом | SOP-8 | Si3851DV |
FET | P-Channel | 1.15W | 30V | | | 1.8A | 2.4nS | | 0.360 Ом | TSOP-6 | |
|
|
|