Основные параметры полевого транзистора 2SJ198

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: P-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 750mW
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 0.5A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 1.7 Ом
Производитель: NEC
Тип корпуса: TO-92
Найти datasheet