vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRL510
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IRL510

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 25W
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 4.8A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Производитель: SAMSUNG
    • Тип корпуса: TO-220
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    IRFF9120 MOSFETP-Channel20W100V 4A60/50nS380pF0.69 ОмTO39
    IRFR110A MOSFETN-Channel20W100V 4.7A12nS190pF0.4 ОмDPAK
    IRFR111 MOSFETN-Channel25W80V 4.7A D-PAK
    IRFS510A MOSFETN-Channel21W100V 4.5A12nS190pF0.4 ОмTO-220F
    IRFU110A MOSFETN-Channel20W100V 4.7A12nS190pF0.4 ОмIPAK
    IRFU111 MOSFETN-Channel25W80V 4.7A I-PAK
    IRL511 MOSFETN-Channel25W80V 4.8A TO-220
    IRLR110A MOSFETN-Channel22W100V 4.7A8nS180pF0.44 ОмDPAK
    IRLS510A MOSFETN-Channel23W100V 4.5A8nS180pF0.44 ОмTO-220F
    IRLU110A MOSFETN-Channel22W100V 4.7A8nS180pF0.44 ОмIPAK
    SFS9520 MOSFETP-Channel29W100V 4.6A20nS425pF0.6 ОмTO-220F
    Яндекс.Метрика