|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRL520Основные параметры полевого транзистора IRL520 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 42W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 7.9A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Производитель: SAMSUNG
- Тип корпуса: TO-220
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусIRFR120 |
MOSFET | N-Channel | 42W | 100V | | | 8.4A | | | | D-PAK | IRFR121 |
MOSFET | N-Channel | 42W | 80V | | | 8.4A | | | | D-PAK | IRFS132 |
MOSFET | N-Channel | 42W | 100V | | | 8.3A | | | | TO-3P | IRFS133 |
MOSFET | N-Channel | 42W | 80V | | | 8.3A | | | | TO-3P | IRFS9130 |
MOSFET | P-Channel | 42W | 100V | | | 8.3A | | | | TO-3P | IRFS9132 |
MOSFET | P-Channel | 42W | 100V | | | 6.9A | | | | TO-3P | IRFU120 |
MOSFET | N-Channel | 42W | 100V | | | 8.4A | | | | I-PAK | IRFU121 |
MOSFET | N-Channel | 42W | 80V | | | 8.4A | | | | I-PAK | IRL521 |
MOSFET | N-Channel | 42W | 80V | | | 7.9A | | | | TO-220 | IRLR120A |
MOSFET | N-Channel | 35W | 100V | | | 8.4A | 15nS | 340pF | 0.22 Ом | DPAK | IRLU120A |
MOSFET | N-Channel | 35W | 100V | | | 8.4A | 15nS | 340pF | 0.22 Ом | IPAK | SFP9520 |
MOSFET | P-Channel | 49W | 100V | | | 6A | 20nS | 425pF | 0.6 Ом | TO-220 | SFS9530 |
MOSFET | P-Channel | 39W | 100V | | | 8A | 38nS | 800pF | 0.3 Ом | TO-220F | SFS9640 |
MOSFET | P-Channel | 40W | 100V | | | 6.2A | 59nS | 1220pF | 0.5 Ом | TO-220F | SFW9520 |
MOSFET | P-Channel | 49W | 100V | | | 6A | 20nS | 425pF | 0.6 Ом | TO-263 | STD8N10 |
MOSFET | N-Channel | 45W | 100V | | | 8A | | | | DPAK | STD8N10L |
MOSFET | N-Channel | 45W | 100V | | | 8A | | | | DPAK | |
|
|
|