|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IRL620Основные параметры полевого транзистора IRL620 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 42W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 200V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 4A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Производитель: SAMSUNG
- Тип корпуса: TO-220
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусIRF622 |
MOSFET | N-Channel | 40W | 200V | | | 4A | - | - | 1.2 Ом | TO220 | IRFR220A |
MOSFET | N-Channel | 40W | 200V | | | 4.6A | 17nS | 275pF | 0.8 Ом | DPAK | IRFS9230 |
MOSFET | P-Channel | 42W | 200V | | | 4.5A | | | | TO-3P | IRFU220A |
MOSFET | N-Channel | 40W | 200V | | | 4.6A | 17nS | 275pF | 0.8 Ом | IPAK | SFS9644 |
MOSFET | P-Channel | 40W | 200V | | | 4.9A | 58nS | 1205pF | 0.8 Ом | TO-220F | |
|
|
|