|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора ITF86182SK8TОсновные параметры полевого транзистора ITF86182SK8T - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: P-Channel
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 30V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 11A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.0115 Ом
- Производитель: INTERSIL
- Тип корпуса: N/A
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусHP4410DY |
MOSFET | N-Channel | | 30V | | | 10A | | | 0.0135 Ом | N/A | HUF76131SK8 |
MOSFET | N-Channel | | 30V | | | 10A | | | 0.013 Ом | N/A | HUF76132SK8 |
MOSFET | N-Channel | | 30V | | | 11.5A | | | 0.0115 Ом | N/A | ITF86116SQT |
MOSFET | N-Channel | | 30V | | | 10A | | | 0.012 Ом | N/A | ITF86172SK8T |
MOSFET | P-Channel | | 30V | | | 10A | | | 0.016 Ом | N/A | ITF86174SQT |
MOSFET | P-Channel | | 30V | | | 9A | | | 0.016 Ом | N/A | RFD10P03L |
MOSFET | P-Channel | | 30V | | | 10A | | | 0.200 Ом | N/A | RFD10P03LSM |
MOSFET | P-Channel | | 30V | | | 10A | | | 0.200 Ом | N/A | RFP10P03L |
MOSFET | P-Channel | | 30V | | | 10A | | | 0.200 Ом | N/A | |
|
|
|