vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IXBT15N170
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IXBT15N170

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 1700V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 25A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.13 Ом
    • Производитель: IXYS
    • Тип корпуса: TO268
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    IXBH15N170 MOSFETN-Channel 1700V 25A 0.13 ОмTO247
    IXBH20N140 MOSFETN-Channel 1400V 20A 0.33 ОмTO247
    IXBH20N160 MOSFETN-Channel 1600V 20A 0.33 ОмTO247
    Яндекс.Метрика