|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IXFM15N80Основные параметры полевого транзистора IXFM15N80 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 300W
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 800V
- Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 800V
- Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±20V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 15A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Время включения/выключения (Fr): 20/63nS
- Входная емкость (Сiss): 4200pF
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.6 Ом
- Производитель: IXYS
- Тип корпуса: TO204AA
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусIXFH13N80 |
MOSFET | N-Channel | 300W | 800V | 800V | ±20V | 13A | 20/63nS | 4200pF | 0.8 Ом | TO247 | IXFH14N80 |
MOSFET | N-Channel | 300W | 800V | 800V | ±20V | 14A | 20/63nS | 4200pF | 0.7 Ом | TO247 | IXFH15N80 |
MOSFET | N-Channel | 300W | 800V | 800V | ±20V | 15A | 20/63nS | 4200pF | 0.6 Ом | TO247 | |
|
|
|