|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IXFH9N80Основные параметры полевого транзистора IXFH9N80 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 800V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 9A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.9 Ом
- Производитель: IXYS
- Тип корпуса: TO247
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусIXFH10N90 |
MOSFET | N-Channel | | 900V | | | 10A | | | 1.10 Ом | TO247 | IXFH8N80 |
MOSFET | N-Channel | | 800V | | | 8A | | | 1.1 Ом | TO247 | IXFM10N90 |
MOSFET | N-Channel | | 900V | | | 10A | | | 1.10 Ом | TO268 | IXTH10N90 |
MOSFET | N-Channel | | 900V | | | 10A | | | 1.1 Ом | TO247 | IXTM10N90 |
MOSFET | N-Channel | | 900V | | | 10A | | | 1.1 Ом | TO204 | |
|
|
|