vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IXFK150N10
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IXFK150N10

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 100V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 150A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.012 Ом
    • Производитель: IXYS
    • Тип корпуса: TO264
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    IXFK170N10 MOSFETN-Channel 100V 170A 0.01 ОмTO264
    IXFK180N085 MOSFETN-Channel 85V 180A 0.007 ОмTO264
    IXFK180N10 MOSFETN-Channel 100V 180A 0.008 ОмTO264
    IXFN170N10 MOSFETN-Channel 100V 170A 0.01 ОмSOT227B
    IXFN180N10 MOSFETN-Channel 100V 180A 0.008 ОмSOT227B
    IXFR180N085 MOSFETN-Channel 85V 180A 0.007 ОмTO247
    IXFR180N10 MOSFETN-Channel 100V 180A 0.008 ОмTO247
    IXFX180N085 MOSFETN-Channel 85V 180A 0.007 ОмTO247
    IXFX180N10 MOSFETN-Channel 100V 180A 0.008 ОмTO247
    Яндекс.Метрика