vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов
  • Полевые транзисторы
  • Биполярные транзисторы

    • Справка

    Классификация полевых транзисторов
    		vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IXFK44N60
    Каталог - Полевые транзисторы

    Основные параметры полевого транзистора IXFK44N60

    • Структура (технология): MOSFET
    • Тип канала: N-Channel
    • Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 600V
    • Предельный постоянный ток стока (Id max): 44A
    • Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
    • Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.13 Ом
    • Производитель: IXYS
    • Тип корпуса: TO264
    • Найти datasheet
    Поиск по параметрам:
    Введите одно или несколько значений для поиска, выбирите разброс поиска. Пустые поля будут игнорироваться при поиске.
    Тип каналаPd max(W)Uds max(V)Id max(A)Rds(Ом)Разброс поискаПоказывать
    Похожие по параметрам:
    Транз.Структ.КаналPd maxUds maxUdg maxUgs maxId maxFrСissRdsКорпус
    IXFK36N60 MOSFETN-Channel 600V 36A 0.18 ОмTO264
    IXFK44N50 MOSFETN-Channel 500V 44A 0.12 ОмTO264
    IXFK48N50 MOSFETN-Channel 500V 48A 0.10 ОмTO264
    IXFK48N50Q MOSFETN-Channel 500V 48A 0.1 ОмTO264
    IXFK50N50 MOSFETN-Channel 500V 50A 0.10 ОмTO264
    IXFN36N60 MOSFETN-Channel 600V 36A 0.18 ОмSOT227B
    IXFN44N50 MOSFETN-Channel 500V 44A 0.12 ОмSOT227B
    IXFN44N50U2 MOSFETN-Channel 500V 44A 0.12 ОмSOT227B
    IXFN44N50U3 MOSFETN-Channel 500V 44A 0.12 ОмSOT227B
    IXFN44N60 MOSFETN-Channel 600V 44A 0.13 ОмSOT227B
    IXFN48N50 MOSFETN-Channel 500V 48A 0.10 ОмSOT227B
    IXFN48N50U3 MOSFETN-Channel 500V 48A 0.10 ОмSOT227B
    IXFN50N50 MOSFETN-Channel 500V 50A 0.10 ОмSOT227B
    IXFR50N50 MOSFETN-Channel 500V 43A 0.10 ОмTO247
    IXFR55N50 MOSFETN-Channel 500V 48A 0.08 ОмTO247
    IXFX44N60 MOSFETN-Channel 600V 44A 0.13 ОмTO247
    IXFX48N50Q MOSFETN-Channel 500V 48A 0.1 ОмTO247
    IXFX50N50 MOSFETN-Channel 500V 50A 0.1 ОмTO247
    Яндекс.Метрика