Основные параметры полевого транзистора IXFN180N20

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 700W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 200V
Предельное постоянное напряжение сток - затвор (Udg max): 200V
Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±20V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 180A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Время включения/выключения (Fr): 55/180nS
Входная емкость (Сiss): 22000pF
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.01 Ом
Производитель: IXYS
Тип корпуса: SOT227B
Найти datasheet