|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IXFN27N80Основные параметры полевого транзистора IXFN27N80 - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 800V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 27A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.30 Ом
- Производитель: IXYS
- Тип корпуса: SOT227B
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусIXFK26N90 |
MOSFET | N-Channel | | 900V | | | 26A | | | 0.3 Ом | TO264 | IXFK27N80 |
MOSFET | N-Channel | | 800V | | | 27A | | | 0.32 Ом | TO264 | IXFN25N90 |
MOSFET | N-Channel | | 900V | | | 25A | | | 0.33 Ом | SOT227B | IXFN26N90 |
MOSFET | N-Channel | | 900V | | | 26A | | | 0.3 Ом | SOT227B | IXFX26N90 |
MOSFET | N-Channel | | 900V | | | 26A | | | 0.3 Ом | TO247 | |
|
|
|