Справка

Основные параметры полевого транзистора IXFN80N50

• Структура (технология): MOSFET
  
• Тип канала: N-Channel
  
• Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 500V
  
• Предельный постоянный ток стока (Id max): 80A
  
• Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
  
• Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.048 Ом
  
• Производитель: IXYS
  
• Тип корпуса: SOT227B
• Найти datasheet