Основные параметры полевого транзистора 2SJ506

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: P-Channel
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd max): 20W
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 30V
Предельное постоянное напряжение затвор - исток (Ugs max): ±20V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 10A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Входная емкость (Сiss): 660pF
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): - Ом
Производитель: HITACHI
Тип корпуса: DPAK
Найти datasheet