|
Каталог - Полевые транзисторы
|
vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IXFT20N80QОсновные параметры полевого транзистора IXFT20N80Q - Структура (технология): MOSFET
- Тип канала: N-Channel
- Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 800V
- Предельный постоянный ток стока (Id max): 20A
- Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
- Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.42 Ом
- Производитель: IXYS
- Тип корпуса: TO268
- Найти datasheet

Похожие по параметрам:
Транз. | Структ. | Канал | Pd max | Uds max | Udg max | Ugs max | Id max | Fr | Сiss | Rds | КорпусIXFH16N90 |
MOSFET | N-Channel | | 900V | | | 16A | | | 0.65 Ом | TO247 | IXFH20N80Q |
MOSFET | N-Channel | | 800V | | | 20A | | | 0.42 Ом | TO247 | IXFK20N80Q |
MOSFET | N-Channel | | 800V | | | 20A | | | 0.42 Ом | TO264 | IXFX16N90 |
MOSFET | N-Channel | | 900V | | | 16A | | | 0.65 Ом | TO247 | |
|
|
|