vt.rcl-radio.ru
Справочник транзисторов

Полевые транзисторы

Биполярные транзисторы

Справка

Классификация полевых транзисторов

vt.rcl-radio.ru | Основные параметры полевого транзистора IXFX100N25

Каталог - Полевые транзисторы

Основные параметры полевого транзистора IXFX100N25

Структура (технология): MOSFET
Тип канала: N-Channel
Предельно допустимое напряжение сток - исток (Uds max): 250V
Предельный постоянный ток стока (Id max): 100A
Предельная температура p-n перехода (Tj max): 150°C
Сопротивление перехода сток-исток в открытом состоянии (Rds): 0.027 Ом
Производитель: IXYS
Тип корпуса: TO247
Найти datasheet

Похожие по параметрам:

Транз.	Структ.	Канал	Pd max	Uds max	Udg max	Ugs max	Id max	Fr	Сiss	Rds	Корпус
BS107P	MOSFET	N-channel		200V	-		120mA		-	2.6 Ом	E-Line
BS107PT	MOSFET	N-channel		200V	-		120mA		-	2.8 Ом	E-Line
IXFK100N25	MOSFET	N-Channel		250V			100A			0.027 Ом	TO264
IXFK110N20	MOSFET	N-Channel		200V			110A			0.02 Ом	TO264
IXFK120N20	MOSFET	N-Channel		200V			120A			0.017 Ом	TO264
IXFK80N20	MOSFET	N-Channel		200V			80A			0.03 Ом	TO264
IXFK90N20	MOSFET	N-Channel		200V			90A			0.02 Ом	TO264
IXFK90N20Q	MOSFET	N-Channel		200V			90A			0.022 Ом	TO264
IXFK90N30	MOSFET	N-Channel		300V			90A			0.033 Ом	TO264
IXFN100N25	MOSFET	N-Channel		250V			100A			0.027 Ом	SOT227B
IXFN106N20	MOSFET	N-Channel		200V			106A			0.02 Ом	SOT227B
IXFN110N20	MOSFET	N-Channel		200V			110A			0.02 Ом	SOT227B
IXFN120N20	MOSFET	N-Channel		200V			120A			0.017 Ом	SOT227B
IXFN90N30	MOSFET	N-Channel		300V			90A			0.033 Ом	SOT227B
IXFR120N20	MOSFET	N-Channel		200V			105A			0.017 Ом	TO247
IXFR80N20Q	MOSFET	N-Channel		200V			80A			0.03 Ом	TO247
IXFX120N20	MOSFET	N-Channel		200V			120A			0.017 Ом	TO247
IXFX90N20Q	MOSFET	N-Channel		200V			90A			0.022 Ом	TO247
IXFX90N30	MOSFET	N-Channel		300V			90A			0.033 Ом	TO247